功率半导体芯片产品开发工程师(IGBT/MOS/FRD)
职位信息
负责IGBT、MOSFET、FRD等产品的设计开发:
1、负责器件设计和工艺仿真;
2、负责版图设计,工艺流程制定;
3、负责与代工厂接口沟通流片相关事宜;
4、制定参数测试规范,分析测试数据;
5、优化设计和工艺方案,提高产品性能及良率;
6、制定可靠性考核方案,负责产品失效分析;
7、配合其他部门解决用户反馈的技术问题。
任职资格:
1、微电子相关专业,硕士以上学历,具有扎实的半导体物理、半导体器件和功率半导体的理论基础;
2、熟练掌握功率半导体设计开发和工艺流程;
3、具备IGBT/MOS/FRD/SIC等任意一种产品成功开发经验者优先;
4、熟练掌握半导体工艺和器件仿真软件(如Sentaurus),熟悉版图设计者优先;
5、具有较强的团队合作意识和工作责任心,具备良好的逻辑分析能力、沟通能力和承压能力,为人正直、诚信;
6、良好的英语说写能力。